文献
J-GLOBAL ID:202002246569008684
整理番号:20A0905245
高温応用のためのダイヤモンド金属-半導体電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Diamond Metal-Semiconductor Field Effect Transistor for High Temperature Applications
著者 (6件):
Wu Yuelin
(Michigan State University,East Lansing,MI,USA)
,
Herrera Cristian
(Michigan State University,East Lansing,MI,USA)
,
Hardy Aaron
(Fraunhofer USA Center for Coatings and Diamond Technologies,East Lansing,MI,USA)
,
Muehle Matthias
(Fraunhofer USA Center for Coatings and Diamond Technologies,East Lansing,MI,USA)
,
Zimmermann Tom
(Michigan State University,East Lansing,MI,USA)
,
Grotjohn Timothy A.
(Fraunhofer USA Center for Coatings and Diamond Technologies,East Lansing,MI,USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
DRC
ページ:
155-156
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)