文献
J-GLOBAL ID:202002246650097479
整理番号:20A0978217
垂直勾配凍結法により成長させた高品質AgGaS_2単結晶上の中間不純物の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of intermediate impurities on high quality AgGaS2 single crystal grown by vertical gradient freezing method
著者 (4件):
Yang Denghui
(Yangtze Normal University, Chongqing 408100, China)
,
Yuan Zerui
(Sichuan Research Center of New Materials, Chengdu 610200, China)
,
Kang Bin
(Institute of Chemical Materials, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China)
,
Fang Pan
(Sichuan Research Center of New Materials, Chengdu 610200, China)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
539
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)