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文献
J-GLOBAL ID：202002246650097479
整理番号：20A0978217
垂直勾配凍結法により成長させた高品質AgGaS_2単結晶上の中間不純物の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of intermediate impurities on high quality AgGaS2 single crystal grown by vertical gradient freezing method
Yang Denghui
(Yangtze Normal University, Chongqing 408100, China)
,
Yuan Zerui
(Sichuan Research Center of New Materials, Chengdu 610200, China)
,
Kang Bin
(Institute of Chemical Materials, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China)
,
Fang Pan
(Sichuan Research Center of New Materials, Chengdu 610200, China)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 539 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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