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J-GLOBAL ID：202002246832288687 整理番号：20A2501613

液体注入MOCVDを用いたサファイア基板上のα-およびβ-Ga_2O_3エピタキシャル層の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of α- and β-Ga₂O₃ epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD

著者 (9件)：

Egyenes-Porsok F

( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia)

,

Gucmann F

( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia)

,

Husekova K

( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia)

,

Dobrocka E

( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia)

,

Sobota M

( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia)

,

Sobota M

( Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovicova 3, 81219, Bratislava, Slovakia)

,

Mikolasek M

( Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovicova 3, 81219, Bratislava, Slovakia)

,

Frohlich K

( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia)

,

Tapajna M

( Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104, Bratislava, Slovakia)

資料名：

Semiconductor Science and Technology (Semiconductor Science and Technology)

巻： 35 号： 11 ページ： 115002 (10pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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