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文献
J-GLOBAL ID：202002247615810422
整理番号：20A0355563
マイクロデバイスへの応用のためのPECVD SiO_2/Si_3N_4二重層エレクトレット【JST・京大機械翻訳】
PECVD SiO2/Si3N4 Double-layer Electrets for Application in Micro-devices
Wang Shumin
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Zhang Yapin
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Liu Jin
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Zou Xudong
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Zhang Jinwen
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名：
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
(IOP Conference Series: Materials Science and Engineering)
巻： 611 号： 1 ページ： 012088 (7pp) 発行年： 2019年
JST資料番号： W5559A ISSN： 1757-8981 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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