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文献
J-GLOBAL ID：202002247801686938
整理番号：20A0531319
高性能広帯域Mg/ZnSNP_2/SnバックツーバックSchottky接合光検出器のバイアスとパワー依存性のプロービング【JST・京大機械翻訳】
Probing bias and power dependency of high-performance broadband Mg/ZnSnP2/Sn back-to-back Schottky junction photodetectors
Mukherjee S.
(Department of Physics, Presidency University, 86/1, College Street, Kolkata, 700073, India)
,
Maitra T.
(Department of Physics, Presidency University, 86/1, College Street, Kolkata, 700073, India)
,
Pradhan A.
(Surface Physics and Material Science Division, Saha Institute of Nuclear Physics, HBNI, Sector-1, AF Block, Kolkata, 700064, India)
,
Mukherjee S.
(Surface Physics and Material Science Division, Saha Institute of Nuclear Physics, HBNI, Sector-1, AF Block, Kolkata, 700064, India)
,
Bhunia S.
(Surface Physics and Material Science Division, Saha Institute of Nuclear Physics, HBNI, Sector-1, AF Block, Kolkata, 700064, India)
,
Nayak A.
(Department of Physics, Presidency University, 86/1, College Street, Kolkata, 700073, India)
資料名：
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 208 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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