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文献
J-GLOBAL ID：202002247996395975
整理番号：20A1920630
不揮発性メモリとシナプスデバイスのためのCMOS互換Ta_2O_5メモリスタのフィラメントと界面スイッチング【JST・京大機械翻訳】
Filamentary and interface switching of CMOS-compatible Ta2O5 memristor for non-volatile memory and synaptic devices
Ryu Ji-Ho
(School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, Cheongju 28644, South Korea)
,
Hussain Fayyaz
(Materials Research Simulation Laboratory (MSRL) Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan)
,
Mahata Chandreswar
(School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, Cheongju 28644, South Korea)
,
Ismail Muhammad
(School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, Cheongju 28644, South Korea)
,
Abbas Yawar
(Department of Physics, Khalifa University, Abu Dhabi 127788, United Arab Emirates)
,
Kim Min-Hwi
(Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea)
,
Choi Changhwan
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea)
,
Park Byung-Gook
(Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea)
,
Kim Sungjun
(Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, South Korea)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 529 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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