文献
J-GLOBAL ID:202002249215269023
整理番号:20A1883853
ケイ酸ビスマスを用いた斜め入射法による表面電荷測定
Surface charge measurements via an oblique incidence method with bismuth silicon oxide
著者 (5件):
KAMABUCHI Yasuhiro
(Iwate Univ., Iwate, JPN)
,
KAMADA Takaharu
(National Inst. Technol. Hachinohe Coll., Aomori, JPN)
,
TAKAHASHI Katsuyuki
(Iwate Univ., Iwate, JPN)
,
MUKAIGAWA Seiji
(Iwate Univ., Iwate, JPN)
,
TAKAKI Koichi
(Iwate Univ., Iwate, JPN)
資料名:
Research Report. NIFS-PROC Series
(Research Report. NIFS-PROC Series)
号:
118
ページ:
1-6
発行年:
2020年06月29日
JST資料番号:
L0798A
ISSN:
0915-6348
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)