文献
J-GLOBAL ID:202002249906626338
整理番号:20A2556318
HfO_2抵抗性ランダムアクセスメモリにおける導電性酸素空孔の性質とIV特性のコンパクトモデリング【JST・京大機械翻訳】
Properties of Conductive Oxygen Vacancies and Compact Modeling of IV Characteristics in HfO2 Resistive Random-Access-Memories
著者 (4件):
Park Junsung
(Gwangju Institute of Science and Technology,School of EECS,Gwangju,Republic of Korea)
,
Kim Min-Jae
(Gwangju Institute of Science and Technology,School of EECS,Gwangju,Republic of Korea)
,
Jang Jae-Hyung
(Gwangju Institute of Science and Technology,School of EECS,Gwangju,Republic of Korea)
,
Hong Sung-Min
(Gwangju Institute of Science and Technology,School of EECS,Gwangju,Republic of Korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
SISPAD
ページ:
217-220
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)