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文献
J-GLOBAL ID：202002250106672086
整理番号：20A2005006
単層および二層ホウ素ドープC_3Nの電気光学的性質:歪エンジニアリングおよび電場による調整可能な電子構造【JST・京大機械翻訳】
Electro-optical properties of monolayer and bilayer boron-doped C3N: Tunable electronic structure via strain engineering and electric field
Bafekry A.
(Department of Physics, University of Guilan, 41335-1914, Rasht, Iran)
,
Bafekry A.
(Department of Physics, University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020, Antwerp, Belgium)
,
Yagmurcukardes M.
(Department of Physics, University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020, Antwerp, Belgium)
,
Shahrokhi M.
(Department of Physics, Faculty of Science, University of Kurdistan, 66177-15175, Sanandaj, Iran)
,
Ghergherehchi M.
(College of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyun Kwan University, Suwon, Republic of Korea)
資料名：
Carbon
(Carbon)
巻： 168 ページ： 220-229 発行年： 2020年
JST資料番号： H0270B ISSN： 0008-6223 CODEN： CRBNA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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