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文献
J-GLOBAL ID：202002250916037597
整理番号：20A0816584
LPDDR二重ランク構成のSIを達成するためのODT条件とドライバのターンオン抵抗の最適化【JST・京大機械翻訳】
Optimizing ODT condition and Driver’s turn-on resistance to achieve SI of LPDDR dual rank configuration
Lee Heeseok
(Samsung Electronics Co. Ltd.,System LSI Division,Hwaseong,Gyeonggki,Korea)
,
Hwang Jisoo
(Samsung Electronics Co. Ltd.,System LSI Division,Hwaseong,Gyeonggki,Korea)
,
Lee Hoijin
(Samsung Electronics Co. Ltd.,System LSI Division,Hwaseong,Gyeonggki,Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： EPTC ページ： 608-612 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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