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文献
J-GLOBAL ID：202002251226234125
整理番号：20A0816479
種々の電気めっき条件での(TSV)充填故障による貫通シリコンに関する研究【JST・京大機械翻訳】
Study on Through Silicon Via (TSV) filling failures on various electroplating conditions
Hwang Gilho
(Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research),Singapore,138634)
,
Kalaiselvan Ravanethran
(Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research),Singapore,138634)
,
Sam Mohamad Iskandar Es
(Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research),Singapore,138634)
,
Hsiang-Yao Hsiao
(Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research),Singapore,138634)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： EPTC ページ： 75-80 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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