文献
J-GLOBAL ID:202002251446391665
整理番号:20A0911099
ホットキャリア応力誘起デバイスパラメータ劣化と時間ゼロ変動性の間の相関について【JST・京大機械翻訳】
On Correlation between Hot-Carrier Stress Induced Device Parameter Degradation and Time-Zero Variability
著者 (8件):
Makarov Alexander
(Institute for Microelectronics, Technische Univer-sitat Wien, 1040 Vienna, Austria)
,
Roussel Philippe
(Imec, Leuven 3001, Belgium)
,
Bury Erik
(Imec, Leuven 3001, Belgium)
,
Vandemaele Michiel
(Imec, Leuven 3001, Belgium)
,
Spessot Alessio
(Imec, Leuven 3001, Belgium)
,
Linten Dimitri
(Imec, Leuven 3001, Belgium)
,
Kaczer Ben
(Imec, Leuven 3001, Belgium)
,
Tyaginov Stanislav
(Imec, Leuven 3001, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
IIRW
ページ:
1-4
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)