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文献
J-GLOBAL ID：202002251740284205
整理番号：20A2345816
ノーマルオフAlGaNチャネル電界効果トランジスタの実証のためのInAlN/AlGaNヘテロ構造による分極工学【JST・京大機械翻訳】
Polarization engineering via InAlN/AlGaN heterostructures for demonstration of normally-off AlGaN channel field effect transistors
Li Lei
(Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Yamaguchi Ryohei
(Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Wakejima Akio
(Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 117 号： 15 ページ： 152108-152108-6 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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