文献
J-GLOBAL ID:202002251750102472
整理番号:20A1235529
分光光電子ホログラフィーによる電気活性に関連したSi中にドープした不純物の三次元原子配列の解析
Analyses of three-dimensional atomic arrangements of impurities doped in Si relating to electrical activity by spectro-photoelectron holography
著者 (3件):
Tsutsui Kazuo
(Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, 4259-J2-69, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan)
,
Morikawa Yoshitada
(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1, Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
,
Morikawa Yoshitada
(Research Center for Ultra-Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1, Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
59
号:
1
ページ:
010503 (8pp)
発行年:
2020年01月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)