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文献
J-GLOBAL ID:202002251750102472   整理番号:20A1235529

分光光電子ホログラフィーによる電気活性に関連したSi中にドープした不純物の三次元原子配列の解析

Analyses of three-dimensional atomic arrangements of impurities doped in Si relating to electrical activity by spectro-photoelectron holography
著者 (3件):
Tsutsui Kazuo
(Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, 4259-J2-69, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan)
Morikawa Yoshitada
(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1, Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
Morikawa Yoshitada
(Research Center for Ultra-Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1, Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 59  号:ページ: 010503 (8pp)  発行年: 2020年01月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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