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文献
J-GLOBAL ID:202002251957571226   整理番号:20A0216839

化学溶液コーティングを用いたレーザドーピングによるSi薄膜トランジスタにおけるCMOSインバータの作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of CMOS Invertors in Si Thin-Film-Transistors by Laser Doping Using a Chemical Solution Coating
著者 (7件):
Imokawa Kaname
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
Kurashige Takayuki
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
Suwa Akira
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
Nakamura Daisuke
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
Sadoh Taizoh
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
Goto Tetsuya
(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai, Japan)
Ikenoue Hiroshi
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)

資料名:
IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)

巻:ページ: 27-32  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2429A  ISSN: 2168-6734  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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