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文献
J-GLOBAL ID：202002251957571226
整理番号：20A0216839
化学溶液コーティングを用いたレーザドーピングによるSi薄膜トランジスタにおけるCMOSインバータの作製【JST・京大機械翻訳】
Fabrication of CMOS Invertors in Si Thin-Film-Transistors by Laser Doping Using a Chemical Solution Coating
Imokawa Kaname
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
,
Kurashige Takayuki
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
,
Suwa Akira
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
,
Nakamura Daisuke
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
,
Sadoh Taizoh
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
,
Goto Tetsuya
(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Ikenoue Hiroshi
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
資料名：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 8 ページ： 27-32 発行年： 2020年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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