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文献
J-GLOBAL ID：202002252363049629
整理番号：20A0487435
ミスト化学蒸着により成長させたm面サファイア基板上のSnドープα-Ga_2O_3膜の電気的性質【JST・京大機械翻訳】
Electrical Properties of Sn-Doped α-Ga2O3 Films on m-Plane Sapphire Substrates Grown by Mist Chemical Vapor Deposition
Akaiwa Kazuaki
(Department of Information and Electronics Engineering, Tottori University, 4-101 Koyamatyo-minami, Tottori, 680-8552, Japan)
,
Ota Katsuya
(Department of Information and Electronics Engineering, Tottori University, 4-101 Koyamatyo-minami, Tottori, 680-8552, Japan)
,
Sekiyama Takahito
(Department of Information and Electronics Engineering, Tottori University, 4-101 Koyamatyo-minami, Tottori, 680-8552, Japan)
,
Abe Tomoki
(Department of Information and Electronics Engineering, Tottori University, 4-101 Koyamatyo-minami, Tottori, 680-8552, Japan)
,
Shinohe Takashi
(FLOSFIA Corp., Kyodai Katsura Venture Plaza North Bldg., 1-36, Goryo ohara, Nishikyo-ku, Kyoto, 615-8245, Japan)
,
Ichino Kunio
(Department of Information and Electronics Engineering, Tottori University, 4-101 Koyamatyo-minami, Tottori, 680-8552, Japan)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217 号： 3 ページ： e1900632 発行年： 2020年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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