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文献
J-GLOBAL ID：202002252484094164
整理番号：20A2241952
フィールドプレートを有するSiC基板上のGaN HEMTにおけるバイアスストレス後のドレイン電流の過渡応答
Transient response of drain current following biasing stress in GaN HEMTs on SiC substrates with a field plate
Ma Qiang
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Yoshida Tomoyo
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
,
Ando Yuji
(Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8601, Japan)
,
Wakejima Akio
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59 号： 10 ページ： 101002 (6pp) 発行年： 2020年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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