前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:202002252484094164   整理番号:20A2241952

フィールドプレートを有するSiC基板上のGaN HEMTにおけるバイアスストレス後のドレイン電流の過渡応答

Transient response of drain current following biasing stress in GaN HEMTs on SiC substrates with a field plate
著者 (4件):
Ma Qiang
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
Yoshida Tomoyo
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
Ando Yuji
(Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8601, Japan)
Wakejima Akio
(Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 59  号: 10  ページ: 101002 (6pp)  発行年: 2020年10月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。