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J-GLOBAL ID：202002252881987037 整理番号：20A1725475

新しいZintl相Ba_3Cd_2P_4とBa_2Cd_2P_3の合成と構造キャラクタリゼーション 300K-700K範囲内の負の熱電能を持つ小ギャップ半導体挙動の稀な例【JST・京大機械翻訳】

Synthesis and structural characterization of the new Zintl phases Ba₃Cd₂P₄ and Ba₂Cd₂P₃. Rare example of small gap semiconducting behavior with negative thermopower within the range 300 K-700 K

著者 (3件)：

Balvanz Adam

(Department of Chemistry and Biochemistry, University of Delaware, Newark, DE, 19716, USA)

Baranets Sviatoslav

(Department of Chemistry and Biochemistry, University of Delaware, Newark, DE, 19716, USA)

Bobev Svilen

(Department of Chemistry and Biochemistry, University of Delaware, Newark, DE, 19716, USA)

資料名：

Journal of Solid State Chemistry (Journal of Solid State Chemistry)

巻： 289 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： H0505A ISSN： 0022-4596 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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