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文献
J-GLOBAL ID：202002253295686284
整理番号：20A0905195
pチャネルハフニア系強誘電体電界効果トランジスタの実証と耐久性改善【JST・京大機械翻訳】
Demonstration and Endurance Improvement of p-channel Hafnia-based Ferroelectric Field Effect Transistors
Winkler Felix
(Technische Universitaet Dresden, Institute of Semiconductors and Microsystems, IHM,Dresden,Germany)
,
Pesic Milan
(Now with Applied Materials,Santa Clara,CA,USA)
,
Richter Claudia
(Namlab gGmbH,Noethnitzer Str. 64, Dresden,Germany,01187)
,
Hoffmann Michael
(Namlab gGmbH,Noethnitzer Str. 64, Dresden,Germany,01187)
,
Mikolajick Thomas
(Namlab gGmbH,Noethnitzer Str. 64, Dresden,Germany,01187)
,
Bartha Johann W.
(Technische Universitaet Dresden, Institute of Semiconductors and Microsystems, IHM,Dresden,Germany)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： DRC ページ： 51-52 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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