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文献
J-GLOBAL ID：202002254136920793
整理番号：20A2258225
金属/強誘電体/中間層/Siゲートスタックを有する強誘電体FETの脱分極場に及ぼす強誘電体/中間層界面における電荷の影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of Charges at Ferroelectric/Interlayer Interface on Depolarization Field of Ferroelectric FET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Gate-Stack
Wang Xiaolei
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Sun Xiaoqing
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhang Yuanyuan
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhou Lixing
(Faculty of Information Technology, School of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing, China)
,
Xiang Jinjuan
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Ma Xueli
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Yang Hong
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Li Yongliang
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Han Kai
(School of Physics and Optoelectronic Engineering, Weifang University, Weifang, China)
,
Luo Jun
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhao Chao
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Wenwu
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67 号： 10 ページ： 4500-4506 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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