文献
J-GLOBAL ID:202002254593231360
整理番号:20A2763584
経験的擬ポテンシャルによるヘテロ接合Electronデバイスのフルバンド量子輸送【JST・京大機械翻訳】
Full-Band Quantum Transport of Heterojunction Electron Devices With Empirical Pseudopotentials
著者 (3件):
M’foukh Adel
(Universite Paris-Saclay, CNRS, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Palaiseau, France)
,
Pala Marco G.
(Universite Paris-Saclay, CNRS, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Palaiseau, France)
,
Esseni David
(DPIA, University of Udine, Udine, Italy)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
67
号:
12
ページ:
5662-5668
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)