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文献
J-GLOBAL ID：202002254782010099
整理番号：20A0859375
ゲート漏れ電流を考慮した短絡過渡現象におけるSiC MOSFET挙動のモデリング【JST・京大機械翻訳】
Modeling of SiC MOSFET Behavior in Short-circuit Transient Considering Gate Leakage Current
Liu Jingcun
(Xi’an Jiaotong University,State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an 710049,China)
,
Zhang Guogang
(Xi’an Jiaotong University,State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an 710049,China)
,
Wang Bixuan
(Xi’an Jiaotong University,State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an 710049,China)
,
Li Wanping
(Xi’an Jiaotong University,State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an 710049,China)
,
Wang Jianhua
(Xi’an Jiaotong University,State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an 710049,China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： COMPUMAG ページ： 1-4 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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