文献
J-GLOBAL ID:202002254792486923
整理番号:20A0208379
結晶シリコン中のホウ素-酸素中心による寿命劣化の高速および低速段階【JST・京大機械翻訳】
Fast and Slow Stages of Lifetime Degradation by Boron-Oxygen Centers in Crystalline Silicon
著者 (5件):
Schmidt Jan
(Department of Photovoltaics, Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, Emmerthal, 31860, Germany)
,
Schmidt Jan
(Department of Solar Energy, Institute of Solid-State Physics, Leibniz University Hannover, Appeltr. 2, Hannover, 30167, Germany)
,
Bothe Karsten
(Department of Photovoltaics, Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, Emmerthal, 31860, Germany)
,
Voronkov Vladimir V.
(Global Wafers, via Nazionale 59, Merano, 39012, Italy)
,
Falster Robert
(4 Harrison’s Lane, Woodstock, OX20 1SS, UK)
資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻:
257
号:
1
ページ:
e1900167
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
CODEN:
PSSBBD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)