文献
J-GLOBAL ID:202002255218409930
整理番号:20A2556298
シリコン上の選択成長ゲルマニウムを用いた背面照明CMOSイメージセンサピクセルにおける近赤外入射下の位相検出自動焦点の技術【JST・京大機械翻訳】
A technique for phase-detection auto focus under near-infrared-ray incidence in a back-side illuminated CMOS image sensor pixel with selectively grown germanium on silicon
著者 (6件):
Kunikiyo Tatsuya
(Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504)
,
Sato Hidenori
(Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504)
,
Kamino Takeshi
(Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504)
,
Iizuka Koji
(Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504)
,
Sonoda Ken’ichiro
(Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504)
,
Yamashita Tomohiro
(Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2020
号:
SISPAD
ページ:
137-140
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)