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文献
J-GLOBAL ID：202002255569103696
整理番号：20A0007727
垂直形状β-Ga_2O_3Schottky整流器の順方向バイアス劣化と熱シミュレーション【JST・京大機械翻訳】
Forward bias degradation and thermal simulations of vertical geometry β-Ga2O3 Schottky rectifiers
Xian Minghan
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
Elhassani Randy
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
Fares Chaker
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
Ren Fan
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611)
,
Tadjer Marko
(US Naval Research Laboratories, Washington, DC 20375)
,
Pearton S. J.
(Department of Material Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 37 号： 6 ページ： 061205-061205-6 発行年： 2019年
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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