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文献
J-GLOBAL ID：202002255803699831
整理番号：20A0433229
3C-SiC-on-Si Schottky障壁ダイオードにおける障壁高さ挙動に関する欠陥に基づくモデル【JST・京大機械翻訳】
A Defects-Based Model on the Barrier Height Behavior in 3C-SiC-on-Si Schottky Barrier Diodes
Arvanitopoulos Anastasios E.
(Institute for Future Transport and Cities, Coventry University, Coventry, U.K.)
,
Antoniou Marina
(School of Engineering, Universityof Warwick, Coventry, U.K.)
,
Jennings Mike R.
(College of Engineering, Swansea University, Swansea, U.K.)
,
Perkins Samuel
(Institute for Future Transport and Cities, Coventry University, Coventry, U.K.)
,
Gyftakis Konstantinos N.
(School of Engineering, The University of Edinburgh, Edinburg, U.K.)
,
Mawby Philip
(School of Engineering, Universityof Warwick, Coventry, U.K.)
,
Lophitis Neophytos
(Institute for Future Transport and Cities, Coventry University, Coventry, U.K.)
資料名：
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
(IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics)
巻： 8 号： 1 ページ： 54-65 発行年： 2020年
JST資料番号： W2402A ISSN： 2168-6777 CODEN： IJESN2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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