文献
J-GLOBAL ID:202002256215479897
整理番号:20A1555183
マイクロエレクトロメカニカルシステム/ナノ電気機械システム応用のための原子層蒸着により蒸着したアルミニウムドープ酸化亜鉛薄膜のピエゾ抵抗特性【JST・京大機械翻訳】
Piezoresistive property of an aluminum-doped zinc oxide thin film deposited via atomic-layer deposition for microelectromechanical system/nanoelectromenchanical system applications
著者 (3件):
Inomata Naoki
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-01, Aramaki-aza-Aoba, Aoba, Sendai, 980-8579, Japan)
,
Van Toan Nguyen
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-01, Aramaki-aza-Aoba, Aoba, Sendai, 980-8579, Japan)
,
Ono Takahito
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-01, Aramaki-aza-Aoba, Aoba, Sendai, 980-8579, Japan)
資料名:
IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering
(IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering)
巻:
12 Suppl S2
ページ:
S120-S124
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1854A
ISSN:
1931-4973
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)