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文献
J-GLOBAL ID：202002256360194607
整理番号：20A2698437
熱刺激電流分光法により研究したPLD成長IGZO(In_2Ga_2Zn_5O_11)薄膜における深い準位欠陥とそれらの不安定性【JST・京大機械翻訳】
Deep level defects and their instability in PLD-grown IGZO (In2Ga2Zn5O11) thin films studied by thermally stimulated current spectroscopy
Wang Buguo
(Semiconductor Research Center, Wright State University, Dayton, OH, 45435, United States of America)
,
Look David
(Semiconductor Research Center, Wright State University, Dayton, OH, 45435, United States of America)
,
Look David
(Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH, 45433, United States of America)
,
Anders Jason
(Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH, 45433, United States of America)
,
Leedy Kevin
(Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH, 45433, United States of America)
,
Schuette Michael
(Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, OH, 45433, United States of America)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 35 号： 12 ページ： 124002 (12pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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