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文献
J-GLOBAL ID：202002256636259551
整理番号：20A1923882
高効率シリコンヘテロ接合太陽電池のための極薄基板上の表面不動態化の改善【JST・京大機械翻訳】
Improving surface passivation on very thin substrates for high efficiency silicon heterojunction solar cells
Balaji Pradeep
(Solar Power Laboratory, Arizona State University, Tempe, AZ, 85284, USA)
,
Dauksher William J.
(Solar Power Laboratory, Arizona State University, Tempe, AZ, 85284, USA)
,
Bowden Stuart G.
(Solar Power Laboratory, Arizona State University, Tempe, AZ, 85284, USA)
,
Augusto Andre
(Solar Power Laboratory, Arizona State University, Tempe, AZ, 85284, USA)
資料名：
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 216 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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