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文献
J-GLOBAL ID:202002256638919978   整理番号:20A0230068

シリコン上の垂直磁気異方性を持つジスプロシウム鉄ガーネット薄膜【JST・京大機械翻訳】

Dysprosium Iron Garnet Thin Films with Perpendicular Magnetic Anisotropy on Silicon
著者 (9件):
Bauer Jackson J.
(Department of Materials Sciences and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Ave, 13-4017, Cambridge, MA, 02139, USA)
Rosenberg Ethan R.
(Department of Materials Sciences and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Ave, 13-4017, Cambridge, MA, 02139, USA)
Kundu Subhajit
(Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota - Twin Cities, 421 Washington, Ave. SE, Minneapolis, MN, 55455, USA)
Mkhoyan K. Andre
(Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota - Twin Cities, 421 Washington, Ave. SE, Minneapolis, MN, 55455, USA)
Quarterman Patrick
(NIST Center for Neutron Research, 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD, 20899, USA)
Grutter Alexander J.
(NIST Center for Neutron Research, 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD, 20899, USA)
Kirby Brian J.
(NIST Center for Neutron Research, 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD, 20899, USA)
Borchers Julie A.
(NIST Center for Neutron Research, 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD, 20899, USA)
Ross Caroline A.
(Department of Materials Sciences and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Ave, 13-4017, Cambridge, MA, 02139, USA)

資料名:
Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)

巻:号:ページ: e1900820  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2482A  ISSN: 2199-160X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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