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文献
J-GLOBAL ID：202002256943382694
整理番号：20A0614158
PECVD法により堆積したGe_1_x-C_x:H膜の成長機構【JST・京大機械翻訳】
The growth mechanism of Ge1 - x-Cx:H films deposited by PECVD method
Jamali H.
(Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, Iran)
,
Mozafarinia R.
(Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, Iran)
,
Sousani F.
(Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, Iran)
,
Eshaghi A.
(Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, Iran)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 103 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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