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文献
J-GLOBAL ID：202002256950656509
整理番号：20A2710163
絶縁体-金属および金属-絶縁体転移中のパーコレーションしきい値のブリンク上のスパッタ高品質VO_2薄膜における導電性クラスタのトポロジー【JST・京大機械翻訳】
Topology of conductive clusters in sputtered high-quality VO2 thin films on the brink of percolation threshold during insulator-to-metal and metal-to-insulator transitions
Koughia Cyril
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9, Canada)
,
Gunes Ozan
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9, Canada)
,
Zhang Chunzi
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9, Canada)
,
Wen Shi-Jie
(Cisco Systems, Inc., 170 West Tasman Drive, San Jose, California 95134)
,
Wong Rick
(Cisco Systems, Inc., 170 West Tasman Drive, San Jose, California 95134)
,
Yang Qiaoqin
(Department of Mechanical Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9, Canada)
,
Kasap Safa O.
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9, Canada)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 38 号： 6 ページ： 063401-063401-12 発行年： 2020年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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