文献
J-GLOBAL ID:202002257014391593
整理番号:20A1277253
スパッタリング堆積プロセス中の酸素分圧により制御されたHf_0.5Zr_0.5O_2薄膜を用いた強誘電体電界効果トランジスタのシナプス動作の改善【JST・京大機械翻訳】
Improvements in the synaptic operations of ferroelectric field-effect transistors using Hf0.5Zr0.5O2 thin films controlled by oxygen partial pressures during the sputtering deposition process
著者 (5件):
Min Dae-Hong
(Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi-do 17104, Korea. sungmin@khu.ac.kr)
,
Ryu Tae-Hyun
,
Yoon So-Jung
,
Moon Seung-Eon
,
Yoon Sung-Min
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
8
号:
21
ページ:
7120-7131
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)