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文献
J-GLOBAL ID：202002257340912475
整理番号：20A2648343
SiCパワーMOSFETにおける前駆破壊キャリア増倍を特性化するための軟ガンマ線の利用と中性子照射で測定したTCR故障率との相関【JST・京大機械翻訳】
On the use of soft gamma radiation to characterize the pre-breakdown carrier multiplication in SiC power MOSFETs and its correlation to the TCR failure rate as measured by neutron irradiation
Ciappa Mauro
(ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, CH-8092 Zurich, Switzerland)
,
Pocaterra Marco
(ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, CH-8092 Zurich, Switzerland)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 114 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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