文献
J-GLOBAL ID:202002257379974130
整理番号:20A2443987
アナログ/RF応用のための5nmノードFinFETとナノシートFETのデバイス設計指針【JST・京大機械翻訳】
Device Design Guideline of 5-nm-Node FinFETs and Nanosheet FETs for Analog/RF Applications
著者 (2件):
Yoon Jun-Sik
(Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, South Korea)
,
Baek Rock-Hyun
(Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, South Korea)
資料名:
IEEE Access
(IEEE Access)
巻:
8
ページ:
189395-189403
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2422A
ISSN:
2169-3536
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)