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文献
J-GLOBAL ID：202002257434836308
整理番号：20A2739010
Si基板上でのディープサブマイクロメートルNbN/AlN/NbNエピタキシャル接合の作製
Fabrication of deep-sub-micrometer NbN/AlN/NbN epitaxial junctions on a Si-substrate
Qiu Wei
(Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology, 588-2 Iwaoka, Nishi-ku, Kobe, 651-2492, Japan)
,
Terai Hirotaka
(Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology, 588-2 Iwaoka, Nishi-ku, Kobe, 651-2492, Japan)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 13 号： 12 ページ： 126501 (5pp) 発行年： 2020年12月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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