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文献
J-GLOBAL ID：202002257789241806
整理番号：20A1884094
4層グラフェン/六方晶窒化ホウ素ヘテロ構造に基づく量子ドットデバイスの作製と特性評価
Fabrication and characterization of quantum dot devices based on tetralayer graphene/hexagonal boron nitride heterostructures
Iwasaki Takuya
(International Center for Young Scientists, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Kato Taku
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Nihon University, Koriyama, Fukushima 963-8642, Japan)
,
Ito Hirohito
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Nihon University, Koriyama, Fukushima 963-8642, Japan)
,
Watanabe Kenji
(Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Taniguchi Takashi
(Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Wakayama Yutaka
(International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Hatano Tsuyoshi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Nihon University, Koriyama, Fukushima 963-8642, Japan)
,
Moriyama Satoshi
(International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59 号： 2 ページ： 024001 (5pp) 発行年： 2020年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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