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文献
J-GLOBAL ID：202002258501947131
整理番号：20A2457951
MOCVDにより成長させたAlGaAsの電気的性質に及ぼす意図しない炭素取り込みの影響【JST・京大機械翻訳】
The effect of unintentional carbon incorporation on the electrical properties of AlGaAs grown by MOCVD
He Zhifang
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
,
Wang Haizhu
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
,
Wang Quhui
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
,
Fan Jie
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
,
Zou Yonggang
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
,
Ma Xiaohui
(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
資料名：
Optical Materials
(Optical Materials)
巻： 108 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： W0468A ISSN： 0925-3467 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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