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文献
J-GLOBAL ID：202002258876386057
整理番号：20A0191197
絶縁ゲートバイポーラトランジスタモジュールの電気-熱パラメトリック劣化モデル【JST・京大機械翻訳】
An electro-thermal parametric degradation model of insulated gate bipolar transistor modules
Liu Xiangxiang
(State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, Tianjin 300000, China)
,
Liu Xiangxiang
(Center for Advanced Life Cycle Engineering (CALCE), University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
,
Li Lingling
(State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, Tianjin 300000, China)
,
Das Diganta
(Center for Advanced Life Cycle Engineering (CALCE), University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
,
Pecht Michael
(Center for Advanced Life Cycle Engineering (CALCE), University of Maryland, College Park, MD 20742, USA)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 104 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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