文献
J-GLOBAL ID:202002258999957716
整理番号:20A2579592
III-窒化物の原子層エピタクシー:ホモエピタキシャル成長の微視的モデル【JST・京大機械翻訳】
Atomic Layer Epitaxy of III-Nitrides: A Microscopic Model of Homoepitaxial Growth
著者 (2件):
Erwin Steven C.
(Center for Computational Materials Science, Naval Research Laboratory, District of Columbia, United States)
,
Lyons John L.
(Center for Computational Materials Science, Naval Research Laboratory, District of Columbia, United States)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
12
号:
43
ページ:
49245-49251
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)