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文献
J-GLOBAL ID：202002259135528161
整理番号：20A2473440
絶縁体上のn型引張歪Geの低温(λ=450°C)形成のための層交換結晶化【JST・京大機械翻訳】
Layer-exchange crystallization for low-temperature (~450 °C) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator
Gao Hongmiao
(Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
,
Sadoh Taizoh
(Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 117 号： 17 ページ： 172102-172102-6 発行年： 2020年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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