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文献
J-GLOBAL ID：202002259391855001
整理番号：20A2693532
FP-LAPW法による窒化ガリウム半導体の構造的,電子的および光学的性質【JST・京大機械翻訳】
Structural, electronic, and optical properties of the gallium nitride semiconductor by means of the FP-LAPW method
Gasmi F. Z.
(Radiation Physics Laboratory, Department of Physics, Faculty of Sciences, Badji Mokhtar University, Annaba, Algeria)
,
Gasmi F. Z.
(Research Center in Industrial Technologies, CRTI, Algiers, Algeria)
,
Chemam R.
(Radiation Physics Laboratory, Department of Physics, Faculty of Sciences, Badji Mokhtar University, Annaba, Algeria)
,
Graine R.
(Radiation Physics Laboratory, Department of Physics, Faculty of Sciences, Badji Mokhtar University, Annaba, Algeria)
,
Graine R.
(Research Center in Industrial Technologies, CRTI, Algiers, Algeria)
,
Boubir B.
(Research Center in Industrial Technologies, CRTI, Algiers, Algeria)
,
Meradji H.
(Radiation Physics Laboratory, Department of Physics, Faculty of Sciences, Badji Mokhtar University, Annaba, Algeria)
資料名：
Journal of Molecular Modeling
(Journal of Molecular Modeling)
巻： 26 号： 12 ページ： 356 発行年： 2020年
JST資料番号： W4628A ISSN： 1610-2940 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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