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文献
J-GLOBAL ID：202002259471743828
整理番号：20A1513732
分子ビームエピタクシーで成長させたr-サファイア基板上のp型非極性a-ZnO:N薄膜【JST・京大機械翻訳】
p-Type Nonpolar a-ZnO:N Thin Films on r-Sapphire Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy
Maekawa Naoki
(Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan)
,
Nakayama Hirotake
(Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan)
,
Yamane Nobuaki
(Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan)
,
Irie Koji
(Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan)
,
Abe Tomoki
(Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan)
,
Kasada Hirofumi
(Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan)
,
Ichino Kunio
(Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan)
,
Akaiwa Kazuaki
(Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 49 号： 8 ページ： 4474-4478 発行年： 2020年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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