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J-GLOBAL ID:202002259567083360   整理番号:20A0484284

SiC基板上のエピタキシャルグラフェンの高安定性【JST・京大機械翻訳】

High Stability of Epitaxial Graphene on a SiC Substrate
著者 (11件):
Kujime Takaya
(Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan)
Taniguchi Yoshiaki
(Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan)
Taniguchi Yoshiaki
(Institute of Post-LED Photonics, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan)
Akiyama Daiu
(Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan)
Kawamura Yusuke
(Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan)
Kanai Yasushi
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Suita, 567-0047, Japan)
Matsumoto Kazuhiko
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Suita, 567-0047, Japan)
Ohno Yasuhide
(Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan)
Ohno Yasuhide
(Institute of Post-LED Photonics, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan)
Nagase Masao
(Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan)
Nagase Masao
(Institute of Post-LED Photonics, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan)

資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)

巻: 257  号:ページ: e1900357  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  CODEN: PSSBBD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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