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J-GLOBAL ID:202002259584243379   整理番号:20A2261932

MFMキャパシタから二層積層GAAポリSi NW FE-FETへの内部金属ゲートナノドットの影響の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of the Impact of Internal Metal Gate - From MFM Capacitors to Two-Layer-Stacked GAA Poly-Si NW FE-FETs
著者 (8件):
Lee Shen-Yang
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
Chen Han-Wei
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
Chung Chun-Chih
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
Shen Chiuan-Huei
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
Kuo Po-Yi
(Feng Chia University,Department of Electronic Engineering,Taiwan)
Huang Yu-En
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
Chen Hsin-Yu
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
Chao Tien-Sheng
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2020  号: VLSI-TSA  ページ: 124-125  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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