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文献
J-GLOBAL ID：202002259584243379
整理番号：20A2261932
MFMキャパシタから二層積層GAAポリSi NW FE-FETへの内部金属ゲートナノドットの影響の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of the Impact of Internal Metal Gate - From MFM Capacitors to Two-Layer-Stacked GAA Poly-Si NW FE-FETs
Lee Shen-Yang
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
,
Chen Han-Wei
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
,
Chung Chun-Chih
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
,
Shen Chiuan-Huei
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
,
Kuo Po-Yi
(Feng Chia University,Department of Electronic Engineering,Taiwan)
,
Huang Yu-En
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
,
Chen Hsin-Yu
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
,
Chao Tien-Sheng
(National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020 号： VLSI-TSA ページ： 124-125 発行年： 2020年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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