文献
J-GLOBAL ID:202002259758420964
整理番号:20A2648242
偏光超接合(PSJ)技術によるEモードGaN HEMTの設計【JST・京大機械翻訳】
Design of E-mode GaN HEMTs by the Polarization Super Junction (PSJ) technology
著者 (3件):
Sharbati Samaneh
(Centre for Industrial Electronics (CIE), The Mads Clausen Institute, University of Southern Denmark (SDU), Alsion 2, Sonderborg 6400, Denmark)
,
Ebel Thomas
(Centre for Industrial Electronics (CIE), The Mads Clausen Institute, University of Southern Denmark (SDU), Alsion 2, Sonderborg 6400, Denmark)
,
Franke Wulf-Toke
(Centre for Industrial Electronics (CIE), The Mads Clausen Institute, University of Southern Denmark (SDU), Alsion 2, Sonderborg 6400, Denmark)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
114
ページ:
Null
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)