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文献
J-GLOBAL ID：202002260421819561
整理番号：20A0487426
Siイオン注入による増強および空乏モードMOSFETから成るGaNベースモノリシックインバータ【JST・京大機械翻訳】
GaN-Based Monolithic Inverter Consisting of Enhancement- and Depletion-Mode MOSFETs by Si Ion Implantation
Okada Hiroshi
(Institute of Liberal Arts and Sciences, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan)
,
Okada Hiroshi
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan)
,
Miwa Kiyomasa
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan)
,
Yokoyama Taichi
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan)
,
Yamane Keisuke
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan)
,
Wakahara Akihiro
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan)
,
Sekiguchi Hiroto
(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217 号： 3 ページ： e1900550 発行年： 2020年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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