文献
J-GLOBAL ID:202002260486337237
整理番号:20A0856584
有効濃度プロファイル:横方向厚み(VLT)横方向パワーデバイスの変動の新しい1D解析【JST・京大機械翻訳】
Effective Concentration Profile: A Novel 1-D Analysis of the Variation of Lateral Thickness (VLT) Lateral Power Devices
著者 (4件):
Zhang Jun
(College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China)
,
Guo Yu-Feng
(College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China)
,
Huang Chen-Yang
(College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China)
,
Hu Fang-Ren
(College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China)
資料名:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻:
8
ページ:
256-262
発行年:
2020年
JST資料番号:
W2429A
ISSN:
2168-6734
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)