文献
J-GLOBAL ID:202002260796314719
整理番号:20A1069405
ホウ素ドープ単層カーボンナノチューブ系単一電子トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
Boron-doped single-walled carbon nanotube-based single-electron transistor
著者 (1件):
Parashar Sweta
(Department of Physics, Banasthali Vidyapith, Rajasthan 304022, India)
資料名:
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻:
2220
号:
1
ページ:
020127-020127-4
発行年:
2020年
JST資料番号:
D0071C
ISSN:
0094-243X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)