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文献
J-GLOBAL ID:202002260796314719   整理番号:20A1069405

ホウ素ドープ単層カーボンナノチューブ系単一電子トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Boron-doped single-walled carbon nanotube-based single-electron transistor
著者 (1件):
Parashar Sweta
(Department of Physics, Banasthali Vidyapith, Rajasthan 304022, India)

資料名:
AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)

巻: 2220  号:ページ: 020127-020127-4  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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