文献
J-GLOBAL ID:202002260985762690
整理番号:20A0837069
TeとSnをドープしたBi_0.91Sb_0.09単結晶における高磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】
High magnetoresistance in Bi0.91Sb0.09 single crystals doped with Te and Sn
著者 (2件):
Kozhemyakin G. N.
(Shubnikov Institute of Crystallography of Federal Scientific Research Center “Crystallography and Photonics” of Russian Academy of Sciences, Leninskiy Prospekt, 59, 119333 Moscow, Russia)
,
Zayakin S. A.
(Shubnikov Institute of Crystallography of Federal Scientific Research Center “Crystallography and Photonics” of Russian Academy of Sciences, Leninskiy Prospekt, 59, 119333 Moscow, Russia)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
127
号:
13
ページ:
133904-133904-6
発行年:
2020年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)